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东莞领升电镀抛光设备之电镀与精饰的V2O5薄膜的电化学性能

图3是未添加和添加3%CTAB制备的V2O5薄膜的循环伏安CV曲线。两个样品的CV曲线都出现了三对氧化还原峰,分别对应着三个可逆的相变,嵌锂时还原峰在3.4、3.2和2.3V左右分别对应着a/k和y的相变过程,脱锂时氧化峰在2.5、3.3和3.5V左右分别对应着y/k和a的相变过程 。CV曲线上氧化峰电们和还原峰电位之差,即反映了电极电化学反应的可逆性越大,电极反应的可逆性就越差,反之则反应的可逆性越好。从图3中可以看出,电镀抛光设备在添加3%CTAB的V2O5溶胶中电沉积的V2O5薄膜比在未添加CTAB的V2O5薄膜具有更高的电化学反应可逆性。

图4为未添加和添加3%CTAB的V2O5溶胶中制备的V2O5薄膜的交流阻抗谱图EIS。从图4中可以看出,两个样品的EIS谱图都是由高频区的半圆和低频区的斜线组成。高频区的半圆对应着电极电化学反应的电阻容抗弧,低频区的斜线对应着质子扩散引起的Warburg阻抗。对EIS谱图进行拟合可知,在未添加和添加3%CTAB的制备的V2O5薄膜的电化学反应阻抗分别为164.3欧和88.4欧。由此可见在添加3%CTAB制备的V2O5薄膜具有较小电化学反应更容易进行、活性更好,与CV测试结果一致的电镀抛光设备

图5是未添加和添加3%CTAB的V2O5溶胶中电沉积制备的V2O5薄膜的倍率性能曲线。小电流密度50MA/G下,在添加3%CTAB的V2O5薄膜具有272MAH/G的高放电比容量,而在未添加CTAB制备的V2O5薄膜放电比容量仅为241MAH/G,在200、500和1000MA/G电流密度下,在添加3%CTAB的V2O5溶胶中制备的V2O5薄膜放电比容量分别为252、196和146MAH/G,均比在未添加CTAB制备的V2O5薄膜的放电比容量高。

图6未添加和添加3%CTAB的V2O5溶胶中电沉积制备的V2O5薄膜在200MA/G充放电电流密度下的循环性能曲线。从图6中可以看出,在添加3%CTAB制备的V2O5薄膜的最大放电比容量为247MAH/G,循环50圈以后仍具有194MAH/的放电比容量,电镀抛光设备未添加CTAB制备的V2O5薄膜的最高放电比容量仅为163MAH/G,循环50圈以后放电比容量为140163MAH/G。








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